Vishay Siliconix

Фирма Vishay Intertechnology выпустила новый 20-вольтовый p-канальный мощный MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии, когда-либо полученным у p-канального мощного MOSFET, размещенного в компактном (2 мм x 2 мм) термически усиленном корпусе PowerPAK® SC-70. Новый мощный MOSFET SiA433EDJ — самый новый прибор, изготовленный на основе TrenchFET® Gen III p-канальной технологии с самосовмещением, позволяющей разместить на каждом квадратном дюйме кремния миллиард транзисторных ячеек. Эта передовая технология позволяет реализовать сверхточный, с субмикронным шагом, технологический процесс, обеспечивающий получение сопротивления в открытом состоянии почти вдвое меньшее, чем у типового в отрасли p-канального MOSFET.

Прибор SiA433EDJ располагает сверхмалым сопротивлением в открытом состоянии, составляющем 18 мОм, при напряжении 4.5 В, 26 мОм, при напряжении 2.5 В, 65 мОм, при напряжении 1.8 В. Эти значения на 40% ниже, при напряжении 4.5 В, и на 30% ниже, при напряжении 2.5 В, чем у самого близкого конкурирующего p-канального MOSFET.

Новый MOSFET — также единственный 20-вольтовый прибор с напряжением затвор-исток 12 В и с номинальным значением сопротивления в открытом состоянии категорируемым при напряжении 1.8 В. Это позволяет использовать данный прибор в применениях, в которых возможны существенные вариации напряжения управления затвором, за счет влияния бросков, выбросов или шумов напряжения, позволяя реализовать более надежные схемы в применениях с меньшими входными напряжениями.

Прибор SiA433EDJ ориентирован на использование в качестве ключей нагрузки, батарей и в качестве ключей заряда в таких карманных приборах, как сотовые телефоны, смартфоны, карманные компьютеры и MP3-плейеры. Малое сопротивление в открытом состоянии этого MOSFET приведет к более низким потерям проводимости, позволяя снизить энергопотребление применений и продлить срок службы батареи между подзарядами в этих применениях. Размещенный в компактном корпусе PowerPAK SC-70, имеющем габариты вдвое меньшем, чем корпус TSOP-6 приборов со сходным сопротивлением в открытом состоянии, прибор SiA433EDJ позволяет сэкономить площадь печатной платы для организации других функций конечного применения, или же реализовать эти конечные применения меньших размеров.

Для снижения вероятности повреждения прибора во время его эксплуатации, в результате воздействия ESD, прибор оснащен встроенным Zener-диодом, обеспечивающим защиту от ESD с уровнем до 1800 В. Новый MOSFET не содержит галогенов, в соответствии с IEC 61249-2-21, совместим с RoHS директивой 2002/95/EC и на 100% Rg-тестирован.

Ведутся поставки образцов нового TrenchFET мощного MOSFET SiA433EDJ. Начало массовых поставок запланировано на первый квартал 2010 года.

Срок исполнения крупного заказа составляет от 14 до 16 недель.